매일안전신문 - 삼성전자, 2027년 1.4나노 양산으로 앞서간다

▲ 10월 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서 파운드리사업부장 최시영 사장이 발표를 하고 있는 모습 (사진=삼성전자 제공)

[매일안전신문=박서경 기자] 삼성전자가 오는 2027년까지 1.4나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 도입할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자는 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022(Samsung Foundry Forum 2022)’를 열고, 파운드리(반도체 위탁생산) 신기술과 사업 전략을 공개했다.

3년만에 오프라인으로 개최된 올해 삼성 파운드리 포럼에는 팹리스 고객·협력사·파트너 등 500여 명이 참석한 가운데 진행됐다.

이 자리에서 삼성전자는 △파운드리 기술 혁신, △응용처별 최적 공정 제공, △고객 맞춤형 서비스, △안정적인 생산 능력 확보 등을 앞세워 파운드리 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 밝혔다.

특히, 삼성전자는 선단 파운드리 공정 혁신과 함께 차세대 패키징 적층 기술 개발에 박차를 가하고 있다.

삼성전자는 지난 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산하고, 지난 6월 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작했으며, 앞선 양산 노하우를 기반으로 3나노 응용처를 확대하고 있다.

또한, 삼성전자는 “GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다.

삼성전자는 공정 혁신과 동시에 2.5D/3D 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발도 가속화한다.

3나노 GAA 기술에 삼성 독자의 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하는 한편 3D IC 솔루션도 제공하며 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공할 예정이다.

삼성전자는 2015년 고대역폭 메모리 HBM2의 성공적인 출시를 시작으로 2018년 I-Cube(2.5D), 2020년 X-Cube(3D) 등 패키징 적층 기술 혁신을 지속해 나가고 있으며, 나아가 u-Bump(micro Bump)형 X-Cube를 2024년에 양산하고, 2026년에는 Bump-less형 X-Cube를 선보일 계획이다.

이외에도 삼성은 2027년까지 HPC, 5G, 오토모티브 등 비중 50% 이상으로 확대한다는 목표를 제시했으며, 선단 공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대하고 ‘쉘 퍼스트(Shell First)’ 라인 운영으로 시장 수요에 신속하고 탄력적으로 적극 대응할 계획이라고 설명했다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 “고객의 성공이 삼성전자 파운드리사업부의 존재 이유”라고 강조하며 “삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다”고 말했다.

한편, 삼성전자는 3일(현지시간) 미국(실리콘밸리)을 시작으로, 7일 유럽(독일 뮌헨), 18일 일본(도쿄), 20일 한국(서울)에서 순차적으로 ‘삼성 파운드리 포럼’을 개최하고 각 지역별 고객 맞춤형 솔루션을 소개할 계획이다.

또한, 오프라인 참석이 어려운 글로벌 고객을 위해 오는 21일부터 온라인으로도 행사 내용을 공개할 예정이다.

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