매일안전신문 - SK하이닉스, HBM3E 12단 신제품 세계최초 양산 돌입

▲ HBM3E 12단 신제품(SK하이닉스 제공)

[매일안전신문=강수진 기자] SK하이닉스가 세계최초로 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 12단 신제품 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 “2013년 세계 최초로 HDM 1세대(HBM1)를 출시한 데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급한다”며 “높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어갈 것”이라고 26일 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다.

BM은 1세대(HBM1), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3), 5세대(HBM3E) 순으로 개발된다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.

하이닉스는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에게 세계최고 수준을 충족시켰다고 강조했다.

SK하이닉스는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LM)인 ‘라마 3 70B’를 구동할 경우 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있다.

SK하이닉스는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기본보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.

얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다.

SK하이닉스는 자사 핵심기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 전 세대보다 방열성능을 10% 높였으며, 휨 현상 제거를 강화해 제품의 안전성과 신뢰성을 확보했다고 설명했다.

김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장은 “다시 한번 기술 한계를 돌파며 시대를 선도하는 독보적인 AI메모리 리더로서의 면모를 입증했다”라며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비하겠다”고 말했다.

 

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