매일안전신문 - SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 HBM4E 샘플 공급...시장 공략 박차

▲ SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다.(사진: SK하이닉스 제공)

[매일안전신문=이종삼 기자] SK하이닉스가 차세대 HBM 제품을 앞세워 시장 경쟁력 강화에 나섰다. 성능과 전력 효율, 발열 관리 기술을 모두 개선한 신제품을 고객사에 공급하며 AI 인프라 시장 공략에 속도를 낸다.

SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 18일 밝혔다.

HBM4E는 기존 HBM4 기술을 기반으로 데이터 처리 성능과 에너지 효율을 한층 향상시킨 제품이다. SK하이닉스는 그동안 축적한 HBM 개발 경험과 제조 역량을 바탕으로 고객사 검증 단계에 돌입하며 차세대 AI 메모리 시장 선점에 나섰다.

신제품은 핀당 최대 16Gbps의 데이터 전송 속도를 구현해 AI 학습과 추론 과정에서 요구되는 대용량 데이터 처리를 지원한다. 또한 전력 효율을 이전 세대보다 20% 이상 높여 데이터센터 운영 효율 개선에도 기여할 수 있도록 설계했다.

특히 최신 인터페이스 기술과 회로 설계 최적화를 적용해 데이터 전송 지연을 최소화하고, 초고대역폭 환경에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있도록 했다. 이를 통해 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시스템의 처리 능력을 높일 수 있을 것으로 기대된다.

HBM4E에는 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF 공정이 적용됐다. 이를 통해 12단 적층 구조에서 48GB 용량 구현과 함께 열 저항도 이전 세대 대비 약 17% 개선해 고성능 연산 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 했다.

SK하이닉스는 HBM3와 HBM3E, HBM4에 이르는 제품군을 양산하며 축적한 공급 경험을 바탕으로 고객 맞춤형 AI 메모리 솔루션을 제공해 왔다. HBM4E도 AI 시스템 성능 향상에 필요한 핵심 부품으로 자리매김할 것으로 보고 있다.

SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 할 것”이라고 전했다.

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